Wycieczka 3D po Laboratorium Technologicznym:

Laboratorium Zaawansowanych Technologii Półprzewodnikowych, III piętro Gmachu Radiotechniki (pokój nr 331)

 Wśród pomieszczeń laboratoryjnych można wyróżnić trzy typy pomieszczeń: 

  • pomieszczenia zaplecza technicznego laboratorium (tzw. maszynownia) oraz przebieralnia,
  • zasadnicza część laboratorium oddzielona od przebieralni śluzą,
  • wydzielone pomieszczenia do przeprowadzania procesu fotolitografii (klasa czystości ~100) oraz wykonywania mokrych operacji chemicznych (tzw. „chemia mokra”).
W zasadniczej części Laboratorium (cleanroom) utrzymywane jest stale nadciśnienie (w stosunku do otaczających je pomieszczeń), które stanowi skuteczną barierę dla wszelkiego rodzaju pyłów i zanieczyszczeń oraz utrzymywana jest przez system klimatyzacji stała temperatura (ok. 22°C) i wilgotność powietrza (ok. 40 %). W pomieszczeniu głównym laboratorium gwarantowana jest klasa czystości 1000.    

 

 W Laboratorium zgromadzona jest infrastruktura badawcza kompatybilna z podłożami półprzewodnikowymi o rozmiarach do 4 cali. Najmniejszy możliwy do wykonania wymiar elementu struktury to 1 mikrometr. Unikatowa infrastruktura badawcza pozwala na prowadzenie prac w bardzo szerokim zakresie tematyk naukowych. Są to prace, które mogą służyć wielu dziedzinom gospodarki, od telekomunikacji, aż po transport, energię czy medycynę.

 

 

 

Skompletowane w laboratorium technologicznym wyposażenie aparaturowe wsparte posiadanymi umiejętnościami nabytymi przez wiele lat prowadzonych prac badawczych pozwala na realizację bardzo szerokiej palety procesów technologicznych oraz prowadzenia prac badawczych z dziedziny elektroniki i fotoniki (wytwarzanie struktur i przyrządów półprzewodnikowych), mikrosystemów MEMS/MOEMS, ale także (co udowodniono już w latach ubiegłych w praktyce) z dziedziny chemii (m.in.: lab-on-chip, sensory), bio-inżynierii (np., czujniki DNA), czy inżynierii materiałowej (badania nad nowymi materiałami do zastosowań w nowych generacjach układów scalonych, czy nietypowymi materiałami kompatybilnymi z szerokopasmowymi półprzewodnikami). 

 W szczególności, w Laboratorium można prowadzić następujące procesy technologiczne:   

  • wysokotemperaturowe utlenianie termiczne krzemu (w wersji ‘suchej’ i ‘mokrej’)
  • dyfuzja domieszek (fosforu i boru) do krzemu
  • wysokotemperaturowe procesy wygrzewania/rekrystalizacji w atmosferze H2/Ar
  • chemiczne osadzanie z fazy lotnej wspomagane plazmą (PECVD); wytarzanie takich warstw, jak: tlenek krzemu (SiOx), azotek krzemu (Si3N4), tlenko-azotek krzemu (SiOxNy), czy krzem amorficzny (a-Si)
  •  reaktywne rozpylanie magnetronowe warstw przewodzących (Al., Ti, TiN) oraz dielektrycznych (HfOx, HfOxNy, AlOx, TiOx, AlN, IGZO, )
  • naparowywanie próżniowe metali łatwotopliwych (Al., Cr, Au) i trudnotopliwych – z wykorzystaniem wyrzutni strumienia elektronów (Mo, W, Ti)
  • trawienie warstw półprzewodnikowych, przewodzących i dielektrycznych za pomocą 'mokrych' technik trawienia, jak i 'suchych' technik w plazmach bazujących na fluorze (CF4,SF6) oraz chlorze (BCl3)