Poniżej znajdziesz listę (z)realizowanych w Zakładzie projektów badawczych i wdrożeniowych finansowanych ze źródeł zewnętrznych.
- Projekt ramach IDUB-PW, pt.: Kształtowanie właściwości optycznych metamateriałów planarnych pod kątem uzyskiwania struktur fotonicznych o nowych funkcjonalnościach (POB – Technologie Fotoniczne)
- Projekt w ramach IDUB PW, pt.: Badania mechanizmów transportu ładunków oraz formowania ścieżek przewodzących w strukturach typu Metal-Izolator-Metal (MIM) (POB – „Technologie Materiałowe”)
- Projekt w ramach IDUB PW, pt.: Grafen jako wskaźnik warunków technologii warstw dielektrycznych na podłożach półprzewodnikowych (POB – „Technologie Materiałowe”)
- Projekt (V4-Jap/3/2016) w ramach współpracy państw z Grupy Wyszehradzkiej i Japonii (V4 Countries-Japan, NCBiR) pt.: Nanophotonics with metal - group-IV-semiconductor nanocomposites: From single nanoobjects to functional ensembles (NaMSeN).
- Projekt nr UMO-2011/03/B/ST7/02595 (NCN-OPUS) pt.: Technologia i charakteryzacja ultracienkich warstw krzemowych wytwarzanych metodą PECVD na potrzeby struktur nanoelektronicznych.
- Projekt (PBS3/B3/29/2015, NCBiR) pt.: Wysokonapięciowe diody Schottky`ego na bazie monokryształów GaN do zastosowań w przyrządach wysokich mocy.
- Projekt (TECHMATSTRATEG1/347012/3/NCBR/2017) w ramach programu NCBiR "Nowoczesne Technologie Materiałowe - TECHMATSTRATEG", pt.: Przestrajalne metamateriały hiperboliczne na potrzeby nowej generacji przyrządów fotonicznych (HYPERMAT).
- Projekt nr GRAF-TECH/NCBR/13/20/2013 (NCBiR) pt.: Photograph - Ultra-fast Photodetector based on Graphene.
- Projekt nr UMO-2011/01/D/ST7/00640 (NCN-SONATA), pt.: Ultra-płytka plazmowa implantacja jonów na potrzeby technologii zaawansowanych struktur MOS/MOSFET wytwarzanych na krzemie i węgliku krzemu - charakterystyka zjawiska, próby optymalizacji technologicznej.
- Projekt nr N N515 081137 (MNiSW/NCN) pt.: Technologia i charakteryzacja struktur MIS z podwójna warstwą dielektryka bramkowego dla zastosowań w nieulotnych pamięciach półprzewodnikowych (NVSM).
- Projekt Komisji Europejskiej – Silicon-based nanostructures and nanodevices for long term microelectronics applications (NANOSIL), finansowanie: 7 PR UE.
- Projekt Komisji Europejskiej – Pulling the Limits of NanoCMOS electronics (PULLNANO), finansowanie: 6 PR UE.
- Projekt Komisji Europejskiej – NoE Silicon-based Nanodevices (SINANO), finansowanie: 6 PR UE.