Infrastruktura badawcza zebrana w laboratorium umożliwia badanie materiałów, struktur, przyrządów oraz całych systemów elektronicznych. Odpowiednio przygotowane (w jakimkolwiek laboratorium technologicznym) struktury testowe lub przyrządy poddawane są pomiarom zależności wielkości elektrycznych takich jak charakterystyki prądowo-napięciowe, pojemnościowo-napięciowe (lub ogólniej – impedancyjno-napięciowe lub konduktancyjno-napięciowe), w tym także bardzo rzadko spotykanej spektroskopii impedancyjnej, metodą pompowania ładunku, metodą split-CV, a także za pomocą technik impulsowych, stress & sense i szumowych. Pomiary tymi metodami po zastosowaniu odpowiednich modeli i metod analizy pozwalają na charakteryzację wielu parametrów opisujących właściwości i jakość użytych w strukturach testowych materiałów, elementarnych struktur, czy całych przyrządów, jak i ich właściwości niezawodnościowych i odporności na procesy starzenia.
Wyposażenie:
- System do charakteryzacji przyrządów półprzewodnikowych KEITHLEY 4200-SCS zawierający pięć statycznych jednostek wymuszająco-pomiarowych (ang. Source Measure Unit) (4210-SMU), w tym dwie wyposażone w przedwzmacniacz (4200-PA) zapewniający pomiar prądów o natężeniu w zakresie do 1 pA (z dokładnością 1%rdg+10 fA), jednostka małosygnałowa (4210-CVU) oraz dwukanałowa jednostka impulsowa (4225-PMU) wraz z dwoma zdalnymi ultraszybkimi przełącznikami (4225-RPM)
- System do charakteryzacji przyrządów półprzewodnikowych KEYSIGHT B1500A
- Miernik LCR HP 4285A
- Jednostka wymuszająco pomiarowa KEITHLEY 237 (High Voltage SMU)
- Niskoszumne w pełni ekranowane ręczne stanowisko ostrzowe Suss PM-8 wyposażone w sześć precyzyjnych manipulatorów z ostrzami o średnicy: 3, 5, 7 i 20 um
- Jednostka chłodząca (ang. chiller), która w połączeniu z grzanym stolikiem pomiarowym jest w stanie zapewnić pomiary przyrządów w zakresie temperatur od -60°C do 200°C
- Elipsometr spektroskopowy HORIBA JOBIN-YVON Uvisel 2 pozwalający na pomiary właściwości optycznych warstw i układów warstw w zakresie 190 – 850 nm
- Reflektometr THETAMETRISIS do pomiarów właściwości optycznych (grubość, transmitancja, relfektancja)
- Sonda czteroostrzowa do pomiarów rezystywności/rezystancji i przewodności materiałów przewodzących
Możliwości pomiarowe:
- Charakterystyki statyczne (I-V) z wymuszeniem prądowym lub napięciowym
- Pomiary wytrzymałościowe (napięcie przebicia) w zakresie od 0 do 1000 V
- Charakterystyki statyczne typu stres-and-sense (stres napięciowy bądź prądowy, odpowiedź napięciowa bądź prądowa)
- Pomiar małych rezystancji metodą cztero-ostrzową w połączeniu full-Kelvin.
- Pomiary quasi-static C-V
- Pomiary admitancji (C-G-V, C-R-V) w zakresie bardzo małych częstotliwości (1 mHz - 10 Hz)
- Małosygnałowe charakterystyki admitancyjne (C-G-V, C-R-V) w zakresie częstotliwości 75 kHz – 30 MHz z krokiem 100 Hz
- Charakterystyki małosygnałowe C-V, G-V oraz R-V w zakresie częstotliwości 1 kHz – 10 MHz z krokiem wynoszącym 10/dekadę
- Ultraszybkie pomiary I-V ogólnego zastosowania
- Pomiary metodą pompowania ładunku (ang. charge pumping)
 |
 |
 |
 |
 |
 |